Base Comun

UNIVERSIDAD DISTRITAL FRANCISCO JOSE DE CALDAS FACULTAD DE INGENIERIA INFORME DE LABORATORIO ELECTRONICA I

PRÁCTICA N° 8: BASE COMUN Rafael Andrés Fonseca, Jamel Castillo Mejia [email protected], [email protected] Resumen En esta práctica realizamos el diseño de un transistor en base común para obtener una ganancia de voltaje mayor a 50, se utilizará un transistor tipo NPN y se tendrá en cuanta, que para el diseño que la impedancia de entrada en base común es muy pequeña. También visualizaremos en el osciloscopio el comportamiento de la señal, ángulos de desfase, máxima señal de salida antes de recortarse.

impedancias de entrada y salida, desfase de la señal, y capacitores. I.

OBJETIVOS

General: -

Verificar el funcionamiento y determinar las características del amplificador en configuración base común.

Específicos: AbstractIn this practice we carry out the design of a transistor in a common base to obtain a voltage gain greater than 50, an NPN type transistor is used and it will be taken into account, that for the design that the input impedance in the common base is very little. We will also visualize in the oscilloscope the behavior of the signal, the angles of phase shift, the maximum output signal before trimming.

-

Verificar que el transistor en base común no desfasa la señal. Ver los efectos de la resistencia de carga en la señal de salida. Comprobar amplificación de voltaje y corriente.

II. Palabras Claves Transistor, base común, polarización, amplificador, impedancia, capacitancia, ganancia de voltaje y corriente. Keywords Transistor, common base, polarization, amplifier, impedance, capacitance, voltage and current gain. I.

INTRODUCCION

Después del estudio de diseño del transistor en sus configuraciones de emisor y colector común, veremos el procedimiento para el diseño en base común, estudiaremos su comportamiento en cuanto a ganancias de voltaje, corriente, la magnitud de las

MARCO TEÓRICO

AMPLIFICADOR DE BASE COMÚN El amplificador de base común tiene ese nombre porque la base del transistor es común tanto a la entrada como a la salida. Este amplificador es una de las tres configuraciones básicas del amplificador que utiliza el transistor bipolar. El amplificador de base común es usado normalmente como un buffer de corriente o amplificador de voltaje. En esta configuración la entrada se aplica al terminal emisor del transistor bipolar o BJT y la salida se obtiene del terminal colector. La base es común a la entrada y a la salida y se conecta a tierra a través del condensador C1. Ver el diagrama.

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Esta configuración se encuentra en amplificadores alta frecuencia, también es utilizado como buffer de corriente ya que la ganancia de corriente es aproximadamente unitaria Ai = 1.

re = 25mV/Ie Ie = corriente del emisor en CD.

Analizando el circuito en DC: Si 10R2 < β*RE, se puede asumir despreciable la corriente de base IB del transistor. Así, la corriente IC (corriente de colector) es igual a IE (corriente de emisor)

III.

Tabla 1: Valores de polarizacion

Analizando el circuito de la base y del emisor con la ley de voltajes de Kirchhoff: VB = IE*RE + VBE

y

Param. IC(mA) IB(uA) IE(mA) VCE(V) VBE(V) VC(V) VB(V) VE(V)

VS=IC*RC+VC

donde VC es el voltaje de colector del transistor y VB es el voltaje en la base Para obtener una máxima amplitud a la salida del amplificador (en VC) se escoge VC = VCC/2 Analizando el circuito en AC: (aquí los valores se expresan en minúsculas) Para hacer este análisis, los condensadores de acople (CE = CC = C) a la entrada y salida del amplificador se asumen cortocircuitos. Igualmente se cortocircuita la fuente de voltaje Vcc. Así, ie = −vi/re (1) y Vc = ie * RC (2) CARACTERÍSTICAS PRINCIPALES DEL AMPLIFICADOR DE BASE COMÚN - Ganancia de voltaje (Av) elevada - Ganancia de corriente (Ai) = 1 - Impedancia de entrada (Zi) muy baja - Impedancia de salida alta (Zo) - La señal de salida del amplificador está en fase con la señal de la entrada. (Desfase = 0°) - El amplificador de base común tiene las siguientes fórmulas: - Ganancia de voltaje igual RC/Re - Ganancia de corriente Ai=1

Teo. 1,39 5,43 1,4 5,58 0,7 9,58 4,7 3,99

Prác. 1,38 5,38 1,36 5,6 0,68 9,5 4,67 4,1

Simu. 1,4 5,43 1,41 5,56 0,78 9,55 4,78 4

%Error 0,71 0,92 2,85 0,72 2,86 0,83 0,64 2,7

Tabla 2: Parametros Parám. Av(con RL) Av(sin RL) Ai Zi (Ω) Zo (Ω)

IV.

Teó.

1

Prác.

Simu 11,4

%Err

22,8 8,72

CONCLUSIONES

V.

2

Donde: re = resistencia del emisor en corriente alterna (c.a.)

ANALISIS DE RESULTADOS

REFERENCIAS

https://www.ecured.cu/Transistor

https://sites.google.com/site/399electronicatr ansistores/polarizacion-de-los-transistores

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3

http://rabfis15.uco.es/transistoresweb/Tutori al_General/regionestrabajo.html 4

https://www.ecured.cu/Transistor

5

https://www.ecured.cu/Transistor_Bipolar

6

http://146.83.206.1/~jhuircan/PDF_CTOI/T0 3IEE2.pdf

VI.

ANEXOS

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