Jfet Y Mosfet

➔ Características y parámetros del JFET ➔ MOSFET de tipo incremental y decremental

Integrantes: Jorge Alberto Rocha Olivera Luis Olguín Flores José Andrés Castañeda Santana Victor Eduardo Anguiano Gutierrez

Junction Field-Effect Transistor El transistor de efecto campo es en realidad una familia de transistores que se basan en el campo eléctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los JFET pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial.

Estas curvas nos indican los valores que toma la intensidad de drenador (ID) en función de las variaciones que experimenta la tensión de puerta-fuente (VGS) para valores de VDS ctes. En general, la curva de transconductancia de cualquier JFET posee la forma de una parábola, tal como se muestra en la gráfica, que corresponde a las curvas del drenaje del JFET.

DONDE: ID= corriente de drenaje. IDSS = corriente drenaje-fuente saturación. VGS= voltaje puerta-fuente.

VGS(off) = voltaje de estrangulamiento.

Características de los JFET Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source). La puerta es la terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensión, donde el voltaje aplicado a la

puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente. Así como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de campo o FET son también de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la aplicación de una tensión positiva en la puerta pone al transistor en estado de conducción o no conducción, respectivamente.

Parámetros del JFET

El parámetro de la potencia disipada por el transistor es especialmente crítico con la temperatura, de modo que esta potencia decrece a medida que aumenta el valor de la temperatura, siendo a veces necesario la instalación de un radiador o aleta refrigeradora. Todos estos valores críticos los proporcionan los fabricantes en las hojas de características de los distintos dispositivos. Estas curvas nos indican los valores que toma la intensidad de drenador (ID) en función de las variaciones que experimenta la tensión de puerta-fuente (VGS) para valores de VDS constantes.

1.-Zona Lineal: el transistor se comporta como una resistencia variable 2.-Zona de Saturación: el transistor amplifica y se comporta como una fuente de corriente gobernada por VGS (aportados por el fabricante). 3.-Zona de Corte: la intensidad de drenador es nula (ID=0)

Construcción y características del JFET Observe que la parte principal de la estructura es el material tipo n, el cual forma el canal entre las capas incrustadas de material p. La parte superior del canal tipo n está conectada mediante un contacto óhmico a un material conocido como drenaje (D), en tanto que el extremo inferior del mismo material está conectado mediante un contacto óhmico a una terminal conocida como fuente (S). Los dos materiales tipo p están conectados entre sí y a la terminal de compuerta (G).

¿Qué es un MOSFET? Un MOSFET es un transistor de efecto de campo por medio de un semiconductor óxido (óxido ferroso) que se usa como dieléctrico. De otra forma, es un transistor (conduce o no conduce la corriente) en el que se utiliza un campo eléctrico para controlar su conducción y que su dieléctrico es un metal de óxido. Se subdividen en 2 tipos, los MOSFET canal N y los canal P.

Ventajas del transistor MOSFET La principal ventaja del transistor MOSFET es que utiliza baja potencia para llevar a cabo su propósito y la disipación de la energía en términos de pérdida es muy pequeña, lo que hace que sea un componente importante en los modernos ordenadores y dispositivos electrónicos como los teléfonos celulares, relojes digitales, pequeños juguetes de robot y calculadoras.

MOSFET Decremental: se forman sobre un substrato de silicio tipo p, con dos regiones de silicio n- muy dopado, para formar conexiones de baja resistencia. La compuerta está aislada del canal por una capa muy delgada de óxido. En función de si la VGS es positiva o negativa, el canal se ensanchará o estrechará permitiendo el paso o no de corriente.

MOSFET Incrementales: no tienen canal físico. SI VGS es positiva, un voltaje inducido atrae a los electrones del substrato p y los acumula en la superficie. Si VGS es mayor o igual a un valor llamado voltaje umbral, se acumula una cantidad suficiente de electrones para formar un canal N virtual, y la corriente circula del drenaje a la fuente.

MOSFET Incremental

MOSFET Decremental

Bibliografía

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