Tablas De Comparación

Instituto Tecnológico de Tuxtla Gutiérrez Maestría en Ciencias en Ingeniería Mecatrónica Electrónica básica “Diodos y transistores”

M.C. José Ángel Zepeda Hernández Leonardo Daniel Zapata Hernández

M14270283

1 Semestre

Tuxtla Gutiérrez, Chiapas. A 04 de Enero del 2014

Tabla de comparación de Diodos CARACTERISTICAS Aplicación DIODO 1N4007 1N4148 1N5408 1SS184 US1M

Máxima tensión inversa continua

Rectificador Conmutador de alta velocidad Rectificador Conmutador de alta Velocidad Rectificador de alta velocidad

Empaquetado

tensión inversa RMS

Corriente máxima

Rango de Temperatura en operación

1000V

DO-41

700V

1A

-65°C a 150°C

100V

DO-35

200mA

-65°C a 200°C

1000V

DO-201AD

3A

-65°C a 150°C

85V

TO-236MOD

100mA

-55°C a 125°C

1.6ns

1000V

SMA

1A

-65°C a 150°C

75ns

700V

700V

Máxima velocidad de conmutación

4ns

Potencia de disipación

500mW

150mW

Diodo Zener 1W a 12V CARACTERISTICAS Aplicación

Voltaje Nominal

Diodo Zener

3.3V-75V

DIODO 1N4742A

Empaquetado

Corriente máxima

Rango de Temperatura en operación

Potencia de disipación

DO-41

5uA

-65°C a 175°C

1W

Tabla de comparación de transistores tipo BJT y Darlington CARACTERISTICAS Tipo de transistor

Max. voltaje basecolector

Empaquetado

Max. voltaje colectoremisor

Max. voltaje Baseemisor

2N2222

NPN

60V

TO-18

30V

5V

PNP

-60V

-40V

-5V

2N3055

NPN

100V

70V

7V

MJ2955

PNP

100V

70V

TIP112 TIP115

NPN PNP

100V -1000

TO-18 TO-204AA (TO-3) TO-204AA (TO-3) TO-220 TO-220

800mA (DC) -0.6A

2N2907

100V -100V

Transistor

Corriente máxima de colector

Corriente máxima de base

Rango de Temperatura en operación

Máxima velocidad de conmutación

Potencia de disipación

Ganancia máxima

200mA

-65°C a 150°C

250ns

500mW

300

-50nA

-65°C a 200°C

40ns

1.8W

300

15A

7A

-65°C a 200°C

300us

115W

70

7V

15A

7A

-65°C a 200°C

300us

115W

70

5V -5V

2A -2A

50mA -50mA

-65°C a 150°C -65°C a 150°C

300us 300us

50W 50W

1000 1000

Tabla de especificaciones de un transistor MOSFET CARACTERISTICAS Transistor STP6NB50

Max. Max. Max. Corriente Corriente Rango de Máxima Tipo de voltaje voltaje voltaje Empaquetado máxima máxima Temperatura velocidad de transistor draindraingatede drain de gate en operación conmutación source gate source -65°C a Canal N 500V TO-220 500V +-30V 5.8A 5V 16ns 150°C

Potencia de disipación 100W

Tabla de especificaciones de transistor un transistor IGBT CARACTERISTICAS Transistor STP6NB50

Tipo de transistor IGBT

Max. voltaje colectoremisor 600V

Empaquetado TO-220

Max. voltaje gateemisor +-20V

Corriente máxima de colector

Rango de Temperatura en operación

Potencia de disipación

14A

-55°C a 150°C

69W

Bibliografía

DIODES INCORPORATED, 1N4001-1N4007 Data Sheet. DIODES INCORPORATED, 1N4728A - 1N4761A Data Sheet. DIODES INCORPORATED, 1N5400 - 1N5408 Data Sheet. DIODES INCORPORATED, US1A - US1M Data Sheet, Octubre del 2011 TOSHIBA, 1SS184 Data Sheet, 18 de Noviembre del 2008. DISCRETE SEMICONDUCTORS, 1N4148; 1N4448 Data Sheet, 10 de Agosto del 2004 DISCRETE SEMICONDUCTORS, 2N2222; 2N2222A Data Sheet, 29 de Mayo de 1997. SGS-THOMSON MICROELECTRONICS, 2N2905; 2N2907 Data Sheet, Noviembre de 1997. SGS-THOMSON MICROELECTRONICS, STP6NB50; STP6NB50FP Data Sheet, Marzo de 1998. ON SEMICONDUCTOR, 2N3055(NPN), MJ2955(PNP) Data Sheet, Diciembre del 2005. FAIRCHILD SEMICONDUCTOR, TIP110/TIP111/TIP112 Data Sheet, Noviembre del 2008. FAIRCHILD SEMICONDUCTOR, TIP115/TIP116/TIP117 Data Sheet, Noviembre del 2008. FAIRCHILD SEMICONDUCTOR, FGP7N60RUFD Data Sheet, Octubre del 2006.