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Instituto Tecnológico de Tuxtla Gutiérrez Maestría en Ciencias en Ingeniería Mecatrónica Electrónica básica “Diodos y transistores”
M.C. José Ángel Zepeda Hernández Leonardo Daniel Zapata Hernández
M14270283
1 Semestre
Tuxtla Gutiérrez, Chiapas. A 04 de Enero del 2014
Tabla de comparación de Diodos CARACTERISTICAS Aplicación DIODO 1N4007 1N4148 1N5408 1SS184 US1M
Máxima tensión inversa continua
Rectificador Conmutador de alta velocidad Rectificador Conmutador de alta Velocidad Rectificador de alta velocidad
Empaquetado
tensión inversa RMS
Corriente máxima
Rango de Temperatura en operación
1000V
DO-41
700V
1A
-65°C a 150°C
100V
DO-35
200mA
-65°C a 200°C
1000V
DO-201AD
3A
-65°C a 150°C
85V
TO-236MOD
100mA
-55°C a 125°C
1.6ns
1000V
SMA
1A
-65°C a 150°C
75ns
700V
700V
Máxima velocidad de conmutación
4ns
Potencia de disipación
500mW
150mW
Diodo Zener 1W a 12V CARACTERISTICAS Aplicación
Voltaje Nominal
Diodo Zener
3.3V-75V
DIODO 1N4742A
Empaquetado
Corriente máxima
Rango de Temperatura en operación
Potencia de disipación
DO-41
5uA
-65°C a 175°C
1W
Tabla de comparación de transistores tipo BJT y Darlington CARACTERISTICAS Tipo de transistor
Max. voltaje basecolector
Empaquetado
Max. voltaje colectoremisor
Max. voltaje Baseemisor
2N2222
NPN
60V
TO-18
30V
5V
PNP
-60V
-40V
-5V
2N3055
NPN
100V
70V
7V
MJ2955
PNP
100V
70V
TIP112 TIP115
NPN PNP
100V -1000
TO-18 TO-204AA (TO-3) TO-204AA (TO-3) TO-220 TO-220
800mA (DC) -0.6A
2N2907
100V -100V
Transistor
Corriente máxima de colector
Corriente máxima de base
Rango de Temperatura en operación
Máxima velocidad de conmutación
Potencia de disipación
Ganancia máxima
200mA
-65°C a 150°C
250ns
500mW
300
-50nA
-65°C a 200°C
40ns
1.8W
300
15A
7A
-65°C a 200°C
300us
115W
70
7V
15A
7A
-65°C a 200°C
300us
115W
70
5V -5V
2A -2A
50mA -50mA
-65°C a 150°C -65°C a 150°C
300us 300us
50W 50W
1000 1000
Tabla de especificaciones de un transistor MOSFET CARACTERISTICAS Transistor STP6NB50
Max. Max. Max. Corriente Corriente Rango de Máxima Tipo de voltaje voltaje voltaje Empaquetado máxima máxima Temperatura velocidad de transistor draindraingatede drain de gate en operación conmutación source gate source -65°C a Canal N 500V TO-220 500V +-30V 5.8A 5V 16ns 150°C
Potencia de disipación 100W
Tabla de especificaciones de transistor un transistor IGBT CARACTERISTICAS Transistor STP6NB50
Tipo de transistor IGBT
Max. voltaje colectoremisor 600V
Empaquetado TO-220
Max. voltaje gateemisor +-20V
Corriente máxima de colector
Rango de Temperatura en operación
Potencia de disipación
14A
-55°C a 150°C
69W
Bibliografía
DIODES INCORPORATED, 1N4001-1N4007 Data Sheet. DIODES INCORPORATED, 1N4728A - 1N4761A Data Sheet. DIODES INCORPORATED, 1N5400 - 1N5408 Data Sheet. DIODES INCORPORATED, US1A - US1M Data Sheet, Octubre del 2011 TOSHIBA, 1SS184 Data Sheet, 18 de Noviembre del 2008. DISCRETE SEMICONDUCTORS, 1N4148; 1N4448 Data Sheet, 10 de Agosto del 2004 DISCRETE SEMICONDUCTORS, 2N2222; 2N2222A Data Sheet, 29 de Mayo de 1997. SGS-THOMSON MICROELECTRONICS, 2N2905; 2N2907 Data Sheet, Noviembre de 1997. SGS-THOMSON MICROELECTRONICS, STP6NB50; STP6NB50FP Data Sheet, Marzo de 1998. ON SEMICONDUCTOR, 2N3055(NPN), MJ2955(PNP) Data Sheet, Diciembre del 2005. FAIRCHILD SEMICONDUCTOR, TIP110/TIP111/TIP112 Data Sheet, Noviembre del 2008. FAIRCHILD SEMICONDUCTOR, TIP115/TIP116/TIP117 Data Sheet, Noviembre del 2008. FAIRCHILD SEMICONDUCTOR, FGP7N60RUFD Data Sheet, Octubre del 2006.